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分子エレクトロニクス
ナノワイヤー
ナノチューブ
グラフェン
スピンエレクトロニクス
その他

分子エレクトロニクス

著者 Y. Tsuji, A. Staykov, and K. Yoshizawa
所属 九州大学
論文名 Orbital Control of the Conductance photoswitching in Diarylethene
掲載誌 J. Phys. Chem. C 113, 21477-21483 (2009)
概要 九州大学の吉澤一成グループは、Diaryletheneを用いた光スイッチ分子デバイス特性を金属との接触部位とフロンティア軌道の対称性及び接触構造に着眼して考察しました。この研究において、透過係数・電流・MPSH固有状態の計算にATK 2008.07が使用されました。

著者 Y. Tsuji, A. Staykov, and K. Yoshizawa
所属 九州大学
論文名 Orbital view concept applied on photoswitching systems
掲載誌 Thin Solid Films 518, 264-267 (2009)
概要 九州大学の吉澤一成グループは、Diaryletheneを用いた光スイッチ分子デバイス特性を金属との接触部位とフロンティア軌道の対称性に着眼して考察しました。この研究において、透過係数・電流・MPSH固有状態の計算にATK 2008.07が使用されました。

著者 A. Tawara, T. Tada, and S. Watanabe
所属 東京大学、JST-CREST
論文名 Electrostatic and dynamical effects of an aqueous solution on the zero-bias conductance of a single molecule: A first-principles study
掲載誌 Phys. Rev. B 80, 073409 (2009)
概要 東京大学の渡邉聡グループは、水溶媒の存在下における金電極間に架橋されたベンゼンジチオールの分子デバイスをモデリングし、溶媒の存在が電気伝導特性に及ぼす影響を調べました。この研究において、透過係数・電子密度・有効ポテンシャル・最適構造の計算にATK 2.0が使用されました。

著者 R. Stadler1, V. Geskin2, and J. Cornil2
所属 1. ウィーン大学、2モンス大学
論文名 Screening effects in a density functional theory based description of molecular junctions in the Coulomb blockade regime
掲載誌 Phys. Rev. B 79(11), 113408 (2009)
概要 ウィーン大学のR. Stadler他は、NEGF+DFT法を応用してクーロンブロッケード領域にある分子ジャンクションの付加エネルギー(=電子親和力とイオン化エネルギーの差)を計算しました。
この研究において、有効ポテンシャル・マリケンポピュレーションの計算にATK 2.2が使用されました。

著者 G.C. Solomon, D.Q. Andrews, R.H. Goldsmith, T. Hansen, M.R. Wasielewski,
R.P.V. Duyne, and M.A. Ratner
所属 ノースウェスタン大学
論文名 Quantum Interference in Acyclic Systems:Conductance of Cross-Conjugated Molecules
掲載誌 J. Am. Chem. Soc. 130, 17301-17308 (2008)
概要 ノースウェスタン大学のGemma C. Solomon他は、金電極間に架橋された非環状分子の軌道間の干渉による透過係数の減衰について調べました。この研究において、透過係数の計算にATK 2.0.4が使用されました。

著者 M. Mine, T. Tsutsui, and E. Miyoshi
所属 九州大学
論文名 Theoretical Study on the Conductance of Benzene Clusters in the π-Stack Direction
掲載誌 Jpn. J. Appl. Phys., 47, 10 (2008)
概要 九州大学の峰 雅紀様他は、Πスタック構造をもつベンゼンクラスターの電気伝導計算を行いました。この研究において、透過係数・電流・DOS・MPSHの計算にATK 2.2が使用されました。

著者 K. Yoshizawa, T. Tada(*), and A. Staykov
所属 九州大学、(*)東京大学
論文名 Orbital Views of the Electron Transport in Molecular Devices
掲載誌 J. Am. Chem. Soc. 130, 9406-9413 (2008)
概要 九州大学の吉澤一成グループは、分子デバイスの輸送特性を金属との接触部位とフロンティア軌道の対称性に着眼して考察しました。この研究において、透過係数・電流・MPSH固有状態の計算にATK 2.3が使用されました。

著者 C.C. Kaun and T. Seideman
所属 ノースウエスタン大学
論文名 Conductance, contacts, and interface states in single alkanedithiol molecular junctions
掲載誌 Phys. Rev. B 77, 033414 (2008)
概要 ノースウエスタン大学のC.C. Kaun他は、金電極間に架橋されたアルカンジチオールをモデリングし、界面構造が伝導特性に及ぼす影響を調べました。この研究において、透過係数・MPSHの計算にTransiesta-Cが使用されました。

著者 Y. Okuno and S. Yokoyama
所属 神戸研究所 未来ICT研究センター(KARC)
論文名 Theoretical study of molecular rectification in porphyrin dimer
掲載誌 Thin Solid Films 516, 2630-2634 (2008)
概要 KARCの奥野 好成様他は、porphyrin分子を基礎とした分子整流器を考案し、その電気伝導特性を調べました。この研究において、透過係数・電流・MPSH・有効ポテンシャル・PDOSの計算にATK 2.0.4が使用されました。

著者 Xingqiang Shi、Zhenxiang Dai、and Zhi Zeng
所属 中国科学院、中国科学院研究生院
論文名 Electron transport in self-assembled monolayers of thiolalkane: Symmetric I-V curves and Fano resonance
掲載誌 Phys. Rev. B 76,235412 (2007)
概要 中国科学院のXingqiang Shi他は、ある種の非対称な分子架橋系に対して対称なI-V曲線が得られる実験結果を、電極表面の乱れにより説明しました。この研究において、I-V曲線の計算にATK 2.0.4が使用されました。

著者 A. Staykov, D. Nozaki, K. Yoshizawa
所属 九州大学
論文名 Theoretical Study of Donor-π-Bridge-Acceptor Unimolecular Electric Rectifier
掲載誌 J. Phys. Chem. C 2007, 111, 11699-11705
概要 九州大学の吉澤一成グループは、ドナー‐π結合‐アクセプターからなるナノワイヤーの電気伝導計算を行いました。この研究において、透過係数・電流・MPSH固有状態の計算にATKが使用されました。

著者 A. Staykov, D. Nozaki, K. Yoshizawa
所属 九州大学
論文名 Photoswitching of conductivity through a Diarylperfluorocyclopentene Nanowire
掲載誌 J. Phys. Chem. C, 111(8), 3517-3521, 2007
概要 九州大学の吉澤一成グループは、金電極に架橋されたDiarylperfluorocyclopenteneの電気伝導計算を行いました。この研究において、透過係数・電流の計算にTransiesta-Cが使用されました。

著者 K. Toyoda, K. Morimoto, K. Morita
所属 松下電器産業株式会社 先端技術研究所
論文名 First-principles study on current through a single π conjugate molecule for analysis of carrier injection through an organic/metal interface
掲載誌 Surface Science 600 (2006) 5080-5083
概要 松下電器の豊田健治様、他は、金もしくはアルミ電極に架橋されたナフタレンの電気伝導計算を行いました。この研究において、透過係数・部分状態密度・電流・MPSH固有値の計算にTransiesta-Cが使用されました。

著者 T.Uehara, R.V. Belosludov, A.A. Farajian, H. Mizuseki and Y. Kawazoe
所属 東北大学
論文名 Electronic and Transport Properties of Ferrocene: Theoretical Study
掲載誌 Jpn. J. Appl. Phys. 45, 2006, 3768-3771
概要 東北大学の上原朋樹様他は、金電極に架橋されたフェロセン分子の電気伝導計算を行いました。この研究において、透過係数・電流・MPSH固有状態の計算にTransiesta-Cが使用されました。

著者 J. Huang(1), Q. Li(1), H. Ren(1), H. Su(2), and J. Yang(1)
所属 (1) 中国科学技術大学、 (2) ナンヤン工科大学
論文名 Single quintuple bond [PhCrCrPh] molecule as a possible molecular switch
掲載誌 J. Chem. Phys. 125, 184713 (2006)
概要 中国科学技術大学のJing Huang他は、クロム元素による五重結合を介して繋がった2つのフェニル基からなる分子の構造変化に伴う伝導特性への影響を調べました。この研究において、透過係数・電流・MPSH固有状態の計算にTransiesta-Cが使用されました。

著者 Y. Hu1,2, Y. Zhu2, H. GaO1, and H. GuO1,2
所属 1. 中国科学院、2.マギル大学
論文名 Conductance of an Ensemble of Molecular Wires: A Statistical nalysis
掲載誌 Phys. Rev. Lett. 95, 156803 (2005)
概要 中国科学院のYibin Hu他は、様々な吸着構造のパターンを用意することによって統計的に分子デバイスの電気伝導特性を解析しました。この研究において、電流・透過係数の計算にTransiesta-Cが使用されました。

ナノワイヤー

著者 M.F. Ng, L. Shen, L. Zhou, S.W. Yang, and V.B.C. Tan
所属 シンガポール国立大学
論文名 Geometry Dependent I-V Characteristics of Silicon Nanowires
掲載誌 Nano Lett., Vol. 8, No. 11, 3662-3667, 2008
概要 シンガポール国立大学のMan-Fai Ng他は、リチウム電極間に架橋されたシリコンナノワイヤーの電気伝導特性がナノワイヤー成長方向、長さ、表面構造の違いによってどのように変化するのか を調べました。この研究において、透過係数・電流・局所状態密度の計算にATK 2.0が使用されました。

著者 Man-Fai Ng1, Liping Zhou(1,2), Shuo-Wang Yang(1), Li Yum Sim(1),
Vincent B. C. Tan(2), and Ping Wu(1)
所属 (1) Institute of High Performance Computing、 (2)シンガポール国立大学
論文名 Theoretical investigation of Silicon nanowires: Methodology, geometry, surface modification, and electrical conductivity using a multiscale approach
掲載誌 Phys. Rev. B 76, 155435 (2007)
概要 Institute of High Performance ComputingのMan-Fai Ng他は、シリコンナノワイヤーの構造や電子特性について様々な計算を行いました。この研究において、シリコンナノワイヤーのI-V曲線の計算にATKが使用されました。

著者 D. Cheng(1), W.Y. Kim(1), S. K. Min(1), T. Nautiyal(1,2), and K.S. Kim(1)
所属 (1)浦項工科大学校、(2)インド工科大学
論文名 Magic Structures and Quantum Conductance of [110]Silver Nanowires
掲載誌 Phys. Rev. Lett. 96, 096104(2006)
概要 浦項工科大学校のDayong Cheng他は、シンニング過程中の銀ナノワイヤーの電気伝導計算を行いました。この研究において、透過係数の計算にTransiesta-Cが使用されました。

ナノチューブ

著者 G.B. Abadir, K. Walus, and D.L. Pulfrey
所属 ブリティッシュコロンビア大学
論文名 Bias-dependent amino-acid-induced conductance changes in short semi-metallic carbon nanotubes
掲載誌 Nanotechnology 21, 015202 (2010)
概要 ブリティッシュコロンビア大学のG.B. Abadir他は、アミノ酸分子の吸着がカーボンナノチューブの電気伝導特性に及ぼす影響を調べました。この研究において、透過係数・電流・有効ポテンシャル・LDOSの計算にATK 2008.10が使用されました。

著者 S. Yamacli1, M. Avcib2
所属 1. メルシン大学、2. チュクロヴァ大学
論文名 Simple and accurate model for voltage-dependent resistance of metallic carbon nanotube interconnects: An ab initio study
掲載誌 Phys. Lett. A 374, 297-304 (2009)
概要 メルシン大学のSerhan Yamacli他は、カーボンナノチューブのバイアス依存の抵抗値を計算して、それが6次の多項式でフィッティングできることを見出しました。この研究において、透過係数・電流の計算にATK 2008.10が使用されました。

著者 Y. Ren1, K. Chen1, Q. Wan1, B.S. Zou1, and Y. Zhang2
所属 1. 湖南大学、2. 首都師範大学
論文名 Transitions between semiconductor and metal induced by mixed deformation in carbon Nanotube devices
掲載誌 Appl. Phys. Lett. 94, 183506 (2009)
概要 湖南大学のYun Ren他は、カーボンナノチューブの半径方向や輸送方向に歪みを生じさせたときにカーボンナノチューブの電気伝導特性にどのような影響が現れるかを調べました。この研究において、透過係数・電流・状態密度・最適構造・バンド構造の計算にTransiesta-Cが使用されました。

著者 L. Hongxia1, Z. Heming1, and Z. Zhiyong2
所属 1. 西安電子科技大学、2. 西北大学
論文名 Electronic transport properties of an (8,0) carbon/silicon-carbide Nanotube heterojunction
掲載誌 J. Semicond. 30(5), 052002 (2009)
概要 西安電子科技大学のL. Hongxia他は、カーボンナノチューブとSiCナノチューブからなる異種電極界面の電気伝導計算を行いました。この研究において、透過係数・電流・MPSHの計算にATK 2.3が使用されました。

著者 S.U. Lee, R.V. Belosludov, H. Mizuseki, and Y. Kawazoe
所属 東北大学
論文名 Designing Nanogadgetry for Nanoelectronic Devices with Nitrogen-Doped Capped Carbon Nanotubes
掲載誌 Small Vol. 5(15), 1769-1775 (2009)
概要 東北大学の川添良幸グループは、向かい合った2つのキャップされたカーボンナノチューブからなるデバイスに窒素をドープしたときにどのような影響が生じるかを調べました。この研究において、透過係数・電流・MPSHの計算にATK 2.0.4が使用されました。

著者 S.U. Lee, M. Khazaei, F. Pichierri, and Y. Kawazoe
所属 東北大学
論文名 Electron transport through carbon nanotube intramolecular heterojunctions with peptide linkages
掲載誌 Phys. Chem. Chem. Phys., 2008, 10, 5225-5231
概要 東北大学の川添良幸グループは、同種or異種カーボンナノチューブがペプチド結合を介して接合された構造を作成し、それらの電気伝導特性におけるペプチド結合の電子状態が齎す影響を解析しました。この研究において、電流・透過係数の計算にATK 2.0.4が使用されました。

著者 P. Bai1, E. Li1, K.T. Lam2, O. Kurniawan1, and W.S. Koh1
所属 1. Institute of high Performance Computing(IHPC)、2. シンガポール国立大学
論文名 Carbon Nanotube Schottky diode: an atomic perspective
掲載誌 Nanotechnology 19 (2008) 115203
概要 IHPCのP. Bai他は、(8,0)カーボンナノチューブがアルミ電極に埋め込まれた界面構造を構築して、金属/半導体間カーボンナノチューブ接合の整流特性をモデリングしました。この研究において、透過係数・電流・電子密度・有効ポテンシャルの計算にATK が使用されました。

著者 Y. Girard, T. Yamamoto, and K. Watanabe
所属 東京理科大学、JST-CREST
論文名 Spin-Dependent Electron Transport Induced by Non-Magnetic Adatoms in Metallic Carbon Nanotubes
掲載誌 e-J. Surf. Sci. Nanotech. 6, 157 (2008)
概要 東京理科大学のYvan Girard様他は、原子一つが吸着したカーボンナノチューブのスピン依存電気伝導特性の計算を行いました。この研究において、電子密度・局所状態密度・透過係数の計算にATK 2.3.2が使用されました。

著者 Steven Compernolle(1,2), Geoffrey Pourtois(2), Bart Soree(2),
Wim Magnus(2,3), Liviu F. Chibotaru(1), and Arnout Ceulemans(1)
所属 (1)ルーヴェン・カトリック大学, (2) IMEC, (3)アントワープ大学
論文名 Conductance of a copper-nanotube bundle interface: Impact of interface geometry and wave-function interference
掲載誌 Phys. Rev. B 77, 193406 (2008)
概要 ルーヴェン・カトリック大学のSteven Compernolle他は、Cu(100)と(4,0)CNTの界面における構造の違いやCNTの束の密度の違いがコンダクタンスに与える影響を研究し ました。この研究において、透過スペクトルの計算にATK 2.0が使用されました。

著者 M. Khazaei, S.U. Lee, F. Pichierri, and Y. Kawazoe
所属 東北大学
論文名 Designing Nanogadgets by Interconnecting Carbon Nanotubes with Zinc Layers
掲載誌 ACS Nano, 2(5), 939-943, 2008
概要 東北大学の川添良幸グループは、亜鉛層によって同種or異種カーボンナノチューブが接合された構造を9種類作成し、それらの電気伝導特性の違いを調べました。この研究において、電流・透過係数・MPSH固有値の計算にATK 2.0.4が使用されました。

著者 X. Li, K. Chen, L. Wang, M. Long, B.S. Zou, and Z. Shuai*
所属 湖南大学、(*)中国科学院
論文名 Effect of length and size of heterojunction on the transport properties of carbon-nanotube devices
掲載誌 Appl. Phys. Lett. 91, 133511 (2007)
概要 湖南大学のX. Li他は、ヘテロ接合されたカーボンナノチューブがアルミ電極間に架橋された系に対して電気伝導計算を行いました。この研究において、電流・最適構造計算・透過係数・MPSHの計算にTransiesta-Cが使用されました。

著者 T. Yamamoto, Y. Nakazawa, K. Watanabe
所属 東京理科大学、JST-CREST
論文名 Control of electron- and phonon-derived thermal conductances in carbon nanotubes
掲載誌 New J. Phys. 9, 245 (2007)
概要 東京理科大学の山本貴博先生他は、金属性のカーボンナノチューブにおける電子もしくはフォノン由来の熱伝導計算を行いました。この研究において、(電子の)透過係数の計算にATK 2.0.4が使用されました。なお、バリスティック熱伝導の研究にATKが応用されたのは世界で初めてのことです。

著者 Y. Girard, T. Yamamoto, K. Watanabe
所属 東京理科大学、JST-CREST
論文名 Quantum-Chemical Interpretation of Current-Induced Forces on Adatoms on Carbon Nanotubes
掲載誌 J. Phys. Chem. C, 111(33), 12478-12482, 2007
概要 東京理科大学のYvan Girard様他は、非平衡状態における金属性の単層カーボンナノチューブに吸着した原子に働く力の解析を行いました。この研究において、吸着原子に働く力・マリケンポピュレーション・電子密度・MPSH固有状態の計算にATKが使用されました。

著者 M. Khazaei, S.U. Lee, F. Pichierri, and Y. Kawazoe
所属 東北大学
論文名 Computational Design of a Rectifying Diode Made by Interconnecting Carbon Nanotubes with Peptide Linkages
掲載誌 J. Phys. Chem. C, 111(33), 12175-12180, 2007
概要 東北大学の川添良幸グループは、ペプチド結合によって接合された同種or異種カーボンナノチューブのクラスターモデルによる最適構造計算および電気伝導計算を行いました。この研究において、透過係数・電流の計算にATK 2.0.4が使用されました。

著者 Ouyang Fang-ping、Xu Hui
所属 中南大学
論文名 Ab initio study of transport properties of an all-carbon molecular switch based on C20 molecule
掲載誌 Front. Phys. China (2007) 1: 36
概要 中南大学のOuyang Fang-ping他は、先端部が閉じた2本の(5,5)CNTの間にC20分子を挟み、CNT間の距離やC20分子の向きによって電気伝導特性がどのように変化するかを計算しました。この研究において、透過係数やコンダクタンスの計算にATKが使用されました。

グラフェン

著者 X. Ni, G. Li, J. Wang, and B. Li
所属 シンガポール国立大学
論文名 Disorder enhances thermoelectric figure of merit in armchair grapheme nanoribbons
掲載誌 Appl. Phys. Lett. 95, 192114 (2009)
概要 シンガポール国立大学のXiaoxi Ni他は、armchair端をもつグラフェンナノリボンに存在する結合欠陥が熱電材料指数に及ぼす影響を調べました。この研究において、透過係数・構造緩和・原子に働く力の計算にATK が使用されました。

著者 X.H. Zheng, R.N. Wang, L.L. Song, Z.X. Dai, X.L. Wang, and Z. Zing
所属 中国科学院
論文名 Impurity induced spin filtering in graphene nanoribbons
掲載誌 Appl. Phys. Lett. 95, 123109 (2009)
概要 中国科学院のX.H. Zheng他は、スピン分極を考慮したZigzag端をもつグラフェンナノリボンの電子状態の特徴に着目し、B元素やN元素のドーピングによってスピンフィルター特性が発現することを示しました。この研究において、透過係数・状態密度の計算にATK が使用されました。

著者 Y.F. Li, B.R. Li, and H.L. Zhang
所属 蘭州大学
論文名 The computational design of junctions between carbon nanotubes and grapheme nanoribbons
掲載誌 Nanotechnology 20 (2009) 225202
概要 蘭州大学のTe-Fei Li他は、ペプチド結合もしくは硫黄を介して接合されたグラフェンナノリボン、及びカーボンナノチューブが吸着したグラフェンナノリボンを複数種類用意し、それらの電気伝導特性を網羅的に解析しました。この研究において、透過係数・透過固有値・電流・MPSHの計算にATK 2.0が使用されました。

著者 H. Ren1,2, Q.X. Li1, Y. Luo1,2, and J. Yang1
所属 1.中国科学技術大学、2.スウェーデン王立工科大学
論文名 Graphene nanoribbon as a negative differential resistance device
掲載誌 Appl. Phys. Lett. 94, 173110 (2009)
概要 中国科学技術大学のH. Ren他は、アームチェア端のグラフェンナノリボンの中央部分に窒素をドープすることにより、グラフェンナノリボンデバイスに負性抵抗特性が発現することを示しました。この研究において、透過係数・電流・PDOSの計算にATKが使用されました。

著者 F.O. Yang, J. Xiao, R. Guo, H. Zhang and H. Xu
所属 中南大学
論文名 Transport properties of T-shaped and crossed junctions based on grapheme nanoribbons
掲載誌 Nanotechnology 20 (2009) 055202
概要 中南大学のFangping Ou Yang他は、T型及びクロス型のグラフェンナノリボンの電気伝導特性を計算しました。この研究において、透過係数・電流・状態密度の計算にATK 2.0が使用されました。

著者 H. Sevinçli, M. Topsakal, and S. Ciraci
所属 ビルケント大学
論文名 Superlattice structures of grapheme-based armchair nanoribbons
掲載誌 Phys. Rev. B 78, 245402 (2008)
概要 ビルケント大学のH. Sevinçli他は、異なる幅をもつグラフェンナノリボンを接合して、その系内に形成される束縛状態の性質を調べました。この研究において、透過係数の計算にATK が使用されました。

著者 Z. Li, H. Qian, J. Wu, B.L. Gu, and W Duan
所属 清華大学
論文名 Role of Symmetry in the Transport Properties of Graphene Nanoribbons under Bias
掲載誌 Phys. Rev. Lett. 100, 206802(2008)
概要 清華大学のZuanyi Li他は、ジグザグ型の端をもつグラフェンナノリボンの幅の違いに応じた有限バイアス下における電気伝導特性の違いを調べました。この研究において、電流・透過係数の計算にTransiesta-Cが使用されました。

著者 K.T. Lam and G. Liang
所属 シンガポール大学
論文名 An Ab Initio Study on Energy Gap of Bilayer Graphene Nanoribbons with Armchair Edges
掲載誌 Appl. Phys. Lett. 92, 223106 (2008)
概要 シンガポール大学のKai-Tak Lam他は、二重層のarmchair端を持つグラフェンナノリボンにおける、バンドギャップの層間距離/幅依存性やドーピングの影響を調べました。
この研究において、最適構造計算・全エネルギー・バンド構造・フェルミエネルギーの計算にATK 2.2が使用されました。

著者 B.Huang、Q.Yan、G.Zhou、J.Wu、B.L.Gu、W.Duan and F.Liu(*)
所属 清華大学、(*)ユタ大学
論文名 Making a field effect transistor on a single graphene nanoribbon by selective doping
掲載誌 Appl. Phys. Lett. 91, 253122(2007)
概要 清華大学のBing Huang他は、ジグザグ型の端をもち、かつ端に不純物がドープされたグラフェンナノリボンの電気伝導計算を行いました。この研究において、電流−ゲート電圧特性の計算にATK2.0が使用されました。

著者 Q. Yan, B. Huang, J. Yu, F. Zheng, J. Zang, J. Wu, B.L. Gu and W. Duan
所属 精華大学
論文名 Intrinsic Current-Voltage Characteristics of Graphene Nanoribbon Transistors and Effects of Edge Doping
掲載誌 Nano Lett., Vol. 7, No. 6, 1469-1473, 2007
概要 精華大学のQimin Yan他は、グラフェンナノリボン(GNR)のバンドギャップ・仕事関数に関する特性、及び左右の金属的GNRと中央の半導体的GNRからなる電界効果トランジスタの伝導特性を調べました。この研究において、電流−ゲート電圧特性の計算にATKが使用されました。

スピンエレクトロニクス

著者 Y. Min1, K.L. Yao1,2, Z.L. Liu1, G.Y. Gao1, H.G. Cheng1, and S.C. Zhu1
所属 1. 華中科技大学、2. 中国科学院
論文名 First-principles calculations: half-metallic Au-V(Cr) quantum wires as spin filters
掲載誌 Nanotechnology 20 (2009) 095201
概要 華中科技大学のY. Min他は、Au−V(Cr)量子細線がハーフメタルの性質を有すること、及びそのハーフメタルの性質がボロン・窒素ナノチューブに接触していても保たれることを第一原理計算によって示しました。
この研究において、透過係数・電流の計算にATK 2.0.4が使用されました。

著者 K. Sekiguchi1, A. Yamaguchi1, H. Miyajima1, A. Hirohata2, S. Usui3
所属 1.慶應義塾大学, 2.ヨーク大学, 3.サイバネットシステム株式会社
論文名 Observation of a bias-dependent constrained magnetic wall in a Ni point contact
掲載誌 Phys. Rev. B 78, 224418 (2008)
概要 慶應義塾大学の関口康爾先生他は、NiポイントコンタクトのI-V特性が2種類の非線形性を有することを実験で示し、その物理的な起源を伝導計算を用いて考察しました。この研究において、透過係数・電流・マリケンポピュレーションの計算にATK 2.2が使用されました。

著者 H. Sahin and R.T. Senger
所属 ビルケント大学
論文名 First principles calculations of spin-dependent conductance of graphene flakes
掲載誌 Phys. Rev. B 78, 205423 (2008)
概要 ビルケント大学のH. Sahin他は、グラフェンフレークのスピン依存電子構造、電気伝導特性、及びバナジウム元素が吸着したときにそれらの物理特性がどのような影響を受けるかを研究しました。
この研究において、最適構造計算・透過係数・電子密度・局所状態密度・マリケンポピュレーションの計算にATKが使用されました。

著者 Y. Min1, K.l. YaO1,2, Z.L. Liu1, H.G. Cheng1, S.C. Zhu1, and G.Y. GaO1
所属 1. 華中科技大学、2. 中国科学院
論文名 CrAs(001)/AlAs(001) heterogeneous junction as a spin current diode predicted by first principles calculations
掲載誌 Journal of Magnetism and Magnetic Materials 321 (2009) 312-315
概要 華中科技大学のY. Min他は、CrAs(001)/AlAs(001)異種電極接合におけるスピン依存電気伝導計算を行いました。この研究において、透過係数・電流・バンド構造・有効ポテンシャルの計算にATK 2008.02が使用されました。

著者 Y. Girard, T. Yamamoto, and K. Watanabe
所属 東京理科大学、JST-CREST
論文名 Spin-Dependent Electron Transport Induced by Non-Magnetic Adatoms in Metallic Carbon Nanotubes
掲載誌 e-J. Surf. Sci. Nanotech. 6, 157 (2008)
概要 東京理科大学のYvan Girard様他は、原子一つが吸着したカーボンナノチューブのスピン依存電気伝導特性の計算を行いました。この研究において、電子密度・局所状態密度・透過係数の計算にATK 2.3.2が使用されました。

著者 M. Stilling, K. Stokbro, and K. Flensberg
所属 コペンハーゲン大学
論文名 Electronic transport in crystalline magnetotunnel junctions: effects of structural disorder
掲載誌 J Computer-Aided Master Des. 14(1), 141-149 (2007)
概要 コペンハーゲン大学のMorten Stilling他は、Fe/MgO磁気トンネル接合における界面の乱れが電気伝導特性にどのような影響を与えるかを解析しました。この研究において、透過係数の計算にATK 2.0が使用されました。

その他

著者 T. Gu, Z. Wang, T. Tada, and S. Watanabe
所属 東京大学
論文名 First-principles simulations on bulk Ta2O5 and Cu/Ta2O5/Pt heterojunction: Electronic structures and transport properties
掲載誌 J. Appl. Phys. 106, 103713 (2009)
概要 東京大学の渡邉聡グループは、2種類のTa2O5結晶の性質を調べ、またCu/Ta2O5/Pt異種電極モデルの電気伝導計算を行いました。この研究において、透過係数・局所状態密度・マリケンポピュレーションの計算にATKが使用されました。

著者 Z. Wang1, S. Tsukimoto1, M. Saito1, K. Ito2, M. Murakami3, Y. Ikuhara1,4
所属 1. 東北大学、2. 京都大学、3. 立命館大学、4. 東京大学
論文名 Ohmic contacts on silicon carbide: The first monolayer and its electronic effect
掲載誌 Phys. Rev. B 80, 245303 (2009)
概要 東北大学のZhongchang Wang様他は、SiC/Ti3SiC2界面構造を実験と第一原理計算の両方を用いて解析し、オーミック接触が発現するメカニズムを調べました。この研究において、透過係数・電流の計算にATK が使用されました。

著者 Z. Wang1, M. Saito1, S. Tsukimoto, and Y. Ikuhara1,2
所属 1. 東北大学、2. 東京大学
論文名 Interface Atomic-Scale Structure and Its Impact on Quantum Electron Transporteffect
掲載誌 Adv. Mater. 21, 4966-4969 (2009)
概要 東北大学のZhongchang Wang様他は、SiC/Ti3SiC2界面においてオーミック接触が発現するメカニズムを第一原理計算によって解析しました。この研究において、透過係数・電流・有効ポテンシャルの計算にATK が使用されました。

著者 M. Araidai1,2,3 and M. Tsukada1,3,4
所属 1. 東北大学, 2. 早稲田大学ナノ理工学研究機構, 3. JST-CREST, 4. 早稲田大学
論文名 Diffusion processes in single-atom electromigration along a gold chain: First-principles calculations
掲載誌 Phys. Rev. B 80, 045417 (2009)
概要 東北大学の洗平昌晃先生他は、電流存在下における金一次元鎖に吸着した金原子及び硫黄原子に働く力の解析を行いました。この研究において、原子に働く力・有効ポテンシャルの計算にATKが使用されました。

著者 Z. Wang1, S. Tsukimoto1, M. Saito1, and Y. Ikuhara1,2
所属 1.東北大学、2.東京大学
論文名 Quantum electron transport through SrTiO3: Effects of dopants on conductance channel
掲載誌 Appl. Phys. Lett. 94, 252103 (2009)
概要 東北大学のZhongchang Wang様他は、SrTiO3にドープされた不純物が電気伝導特性に及ぶす影響を調べました。この研究において、透過係数・電流の計算にATKが使用されました。

著者 Y. Yamada, H. Tsuchiya, and M. Ogawa
所属 神戸大学
論文名 A first principles study on tunneling current through Si/SiO2/Si structures
掲載誌 J. Appl. Phys. 105, 083702 (2009)
概要 神戸大学の山田様他は、3種類のSi/SiO2界面をモデリングし、界面構造の違いがリーク電流の特性にどのような影響を及ぼすか解析しました。この研究において、構造緩和・電流・バンド構造の計算にATK が使用されました。

著者 Z. Wang, T. Gu, T. Tada, and S. Watanabe
所属 東京大学、JST-CREST
論文名 Excess-silver-induced bridge formation in a silver sulfide atomic switch
掲載誌 Appl. Phys. Lett. 93, 152106 (2008)
概要 東京大学の渡邉聡グループは、Ag−Ag2S−Ag 2プローブ系のAg2S部にAgを余分に加えていったときの電気伝導特性の変化を解析することによって、Ag2Sのスイッチング特性を考察しました。
この研究において、透過係数・状態密度・電流・電子密度・有効ポテンシャル・マリケンポピュレーションの計算にATKが使用されました。

著者 L. Geng, B. Magyari-Kope, Z. Zhang, and Y. Nishi
所属 米国電気電子学会(IEEE)
論文名 Ab Initio Modeling of Schottky-Barrier Height Tuning by Yttrium at Nickel Silicide/Silicon Interface
掲載誌 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, VOL. 29, No. 7, JULY 2008
概要 米国電気電子学会(IEEE)のLi Geng他は、NiSi2/Si界面におけるShottky障壁が界面間にYttrium層が挿入されることによって減少する実験結果を、第一原理計算を用いて解析しました。この研究において、PDOS(原子ごとの寄与に分解された状態密度)・最適構造計算・電子密度・マリケンポピュレーションの計算にATK 2.3が使用されました。

著者 T. Kamiya1,2, K. Tajima1, K. Nomura2, H. Yanagi1, H. Hosono1,2,3
所属 1.東京工業大学, 2.ERATO-SORST, 3.Frontier Collaborative Research Center
論文名 Interface electronic structures of zinc oxide and metals: First-principle study
掲載誌 Phys. Stat. Sol. (a) 205, 1929-1933 (2008)
概要 東京工業大学の神谷利夫先生他は、金属電極に挟まれた酸化亜鉛膜の電気伝導計算を行いました。この研究において、透過係数・電流・局所状態密度の計算にATKが使用されました。

著者 Zhongchang Wang, Takuya Kadohira, Tomofumi Tada, and Satoshi Watanabe
所属 東京大学、JST-CREST
論文名 Nonequilibrium Quantum Transport Properties of a Silver Atomic Switch
掲載誌 Nano Lett., Vol. 7, No. 9, 2688-2692, 2007
概要 東京大学の渡邉聡グループは、Ag-Ag2S-Ag構造の電気伝導計算を行いました。この研究において、透過係数・電流・状態密度・最適構造・マリケンポピュレーション・全エネルギー・力・電子密度・有効ポテンシャルの計算にATKが使用されました。

著者 Y. Qi, D. Guan, Y. Jiang, Y. Zheng, and C. Liu
所属 山東大学
論文名 How Do Oxygen Molecules Move into Silver Contacts and Change Their Electronic Transport Properties?
掲載誌 Phys. Rev. Lett. 97, 256101 (2006)
概要 山東大学のY. Qi他は、Agナノチェーン+酸素分子からなる系の伸長過程シミュレーションと電気伝導計算を行いました。この研究において、最適構造計算・透過係数・状態密度の計算にATK 2.0が使用されました。

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